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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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Traps Quantum wells Strong coupling Nanoparticles Metasurface InGaN GaN Normally-off Nanowire Free-standing GaN Al Epitaxy Electrical properties and parameters MBE High electron mobility transistor AlGaN/GaN HEMT Electron holography Bullseye antennas Compressive stress 6H-SiC LPCVD Chemical vapor deposition processes Tunnel junction Defects CRYSTALS Metalens Molecular beam epitaxy MBE AlGaN Schottky barrier diode HEMT III-nitride semiconductors Silica Gallium nitride High electron mobility transistor HEMT Characterization LEDs Graphene DLTFS Heterostructures Nanostructures Diffraction Gallium nitride GaN Coalescence Nitrides III-nitrides Aluminum gallium nitride LED Boîtes quantiques Transmission electron microscopy Aluminum nitride AlGaN/GaN Chemical vapor deposition Silicium Excitons GaN-on-Si Photoluminescence Boron nitride MOCVD 3C–SiC AlN Croissance Cathodoluminescence GaN HEMT Nitrures d'éléments III Microscopie électronique en transmission Atomic force microscopy Group III-nitrides Semiconducteurs Diodes électroluminescentes Microcavity Caractérisation Optical properties Semiconductors Holography Bond order wave Nitrure de gallium Doping Quantum dots III-N Atom probe tomography Épitaxie par jets moléculaires Épitaxie CVD 2D materials Light emitting diodes High electron mobility transistors Dislocations Bending Metasurfaces Transistor Millimeter-wave power density Zinc oxide Silicon carbide Contraintes Spectroscopy Creep Silicon Molecular beam epitaxy ZnO Selective area growth