Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius - Université de Toulon
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2014

Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius

Christine Leroux
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
CV
Evelyne Gil
Institut Pascal
Vladimir Dubrovskii
  • Fonction : Auteur
Geoffrey Avit
Institut Pascal
Yamina Andre
Institut Pascal
Kaddour Lekhal
  • Fonction : Auteur
Institute of Materials and Systems for Sustainability
Jurij Grecenkov
  • Fonction : Auteur
Agnes Trassoudaine
Institut Pascal
Dominique Castelluci
  • Fonction : Auteur
Institut Pascal
Guillaume Monier
Institut Pascal
Reda Ramdani
  • Fonction : Auteur
Christine Robert-Goumet
Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique
Luc Bideux
Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique
Jean Christophe Harmand
Laboratoire de photonique et de nanostructures
Frank Glas
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : vendredi 9 mars 2018-10:28:20

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Dates et versions

hal-01727364 , version 1 (09-03-2018)

Identifiants

Citer

Christine Leroux, Evelyne Gil, Vladimir Dubrovskii, Geoffrey Avit, Yamina Andre, et al.. Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius. Nano Letters, 2014, 14 (7), pp.3938 - 3944. ⟨10.1021/nl501239h⟩. ⟨hal-01727364⟩

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